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江苏佑风微电子股份有限公司 > 技术资料 > 瞬态抑制二极管的分类和封装选用

瞬态抑制二极管的分类和封装选用

发布时间: 2018/10/27 14:28:16 | 501 次阅读

   瞬态抑制二极管可以按极性分为单极性和双极性两种,按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的专用型器件。如:各种交流电压保护器、4~200mA电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。若按封装及内部结构可分为:轴向引线二极管、双列直插TVS阵列(适用多线保护)、贴片式、组件式和大功率模块式等。

   瞬态抑制二极管的选用

   1、确定被保护电路的直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。

   2、瞬态抑制二极管额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的工作电压。若选用的VWM太低,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压,并行连接分电流。

   3、瞬态抑制二极管的箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。

   4、在规定的脉冲持续时间内,瞬态抑制二极管的峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定了箝位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。

   5、对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。

   6、根据用途选用瞬态抑制二极管的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理;多线保护选用TVS阵列更为有利。

   7、温度考虑。瞬态电压抑制器可以在-55~+150℃之间工作。如果需要瞬态抑制二极管在一个变化的温度工作,由于其反向漏电流ID是随增加而增大;功耗随瞬态抑制二极管结温增加而下降,从+25℃到+175℃,大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此,必须查阅有关产品资料,考虑温度变化对其特性的影响。